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北京田可何达半导体公司最近发布了新产品8英寸导电碳化硅衬底公司介绍了新产品8英寸导电碳化硅衬底的关键技术参数，并宣布将于2023年实现8英寸导电碳化硅衬底的小规模量产
本站了解到，2021年，徐州田可何达生产基地6英寸系列产品产能达到全国第一，目前北京大兴总部基地6英寸产能正在不断突破。
天合光能是中国碳化硅衬底领域的领军企业，一直在不断突破制备更大尺寸，更高质量碳化硅衬底的关键核心技术。
指标公布如下:
8英寸碳化硅晶体和晶片外观图
拉曼光谱数据显示，8英寸碳化硅衬底100%面积是4H晶体。
XRD三点摇摆曲线数据显示半峰全宽小于20弧秒。
位错密度测试结果显示，EPD < 4，000平方厘米，TSD < 100/平方厘米，BPD < 200/平方厘米，位错密度整体处于国际领先水平。
