有投资者在投资者互动平台提问:请问公司的IGBT芯片或MOSFET,是多少nm/um 制程的给贵公司代工的国产晶圆厂中,如果将来将来国外光刻机购买被禁,它们买的国产光刻机能满足你们的产品生产要求嘛
宏微科技3月16日在投资者互动平台表示,IGBT等功率器件芯片对制程的要求,没有逻辑芯片等集成电路芯片那么高,主流制程普遍在350nm以上,最新的制程需求是150nm,所以对应的光刻机设备不会受到像14nm,7nm制程那样的约束伴随着国内制程技术的逐步成熟,IGBT芯片制造设备的国产替代也正在加速
未来国内的功率半导体无论是二极管/晶闸管,还是MOSFET,乃至难度更高的IGBT,市场份额均有望显著提升,实现功率半导体的国产替代。