，日本电容器大厂村田制作所近日宣布，计划到 2028 年，对日本国内的金泽村田制作所、仙台村田制作所和芬兰子公司合计投资约 100 亿日元(IT之家备注:当前约 5.02 亿元人民币)，将硅电容器产能提高两倍。
目前，硅电容器的应用仅限于医疗设备，但未来有望扩展到智能手机和服务器等应用，村田制作所希望通过投资和增产及时捕获更多市场需求。
硅电容器采用半导体制造工艺制作，其介电层为稳定性更好的硅材料。与当前的主流电容器相比，硅电容器有着更好的电容密度、可靠性、高频特性等优势，老化时间可长达 10 年，其额定温度甚至可高达 250℃，在恶劣环境下有着更好的表现。
不过，目前硅电容器的价格是普通 MLCC 的几十倍，因此其应用范围集中于高附加值、对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。但考虑到硅电容器在轻薄方面的优势，对于内部空间越来越捉襟见肘的智能手机而言，硅电容器也是相当不错的选择。村田制作所的硅电容器厚度可低至 0.05 毫米。
今年 3 月，村田制作所曾宣布将于 2024 年之前向法国子公司投资约 5000 万欧元以增加硅电容器的产能。此次村田制作所的投资计划，将在两家日本工厂和芬兰子公司建立相同的生产系统，以实现全球化的硅电容器供应。
